原始标题：7月30日，北京（记者Liu Xia）科学家每天都会减少量隧道过程的新观察，从而减少传统的认知科学和技术，在理解体积力学 - 电子 - 洪水影响的基本现象方面取得了重大成功。 Poshang科学技术大学的韩国科学技术研究团队和德国的Max Planck研究所在首次隧道隧穿时注意到了“在障碍物内重新挑战”的现象，而忽略了传统的理解，即“电子仅在通过营房后与原子核相互作用”。这项研究的最新结果发表在《物理评论》杂志上，不仅刷新社区了解了不寻常的事物的隧道量，而且还为开发诸如半导体，数量计算机和超快激光器等技术提供了新的想法，这些技术依赖于体积TU的影响nneling。 在体积力学领域，隧道的量是指微小颗粒的独特行为，例如电子可以穿过无法测量的经典物理学考虑的能屏障。这种现象就像是“壁性技术”，在古典物理学中无法实现，因为电子没有足够的能量来克服潜在的障碍，但是在体积世界中，电子具有以波浪形式越过潜在障碍的某种可能性，例如挖掘隧道。 隧道的数量不仅是半导体（主要元素设备，例如智能手机和计算机）的工作原理，而且是太阳能核融合产生光和能量的主要机制。但是，尽管科学家已经在电子隧道前后观察了一百年前的状态，但越过电位时，他们总是对电子的特定行为一无所知障碍物。 研究小组使用强的激光脉冲来激发电子对原子的隧道量。他们不小心发现电子不会悄悄地穿过屏障，而是提到屏障内的核。他们将这种现象命名为“纪念障碍物”。传统理论认为，电子只有在核远离屏障之后才能与核相互作用，这项研究证实了这种接触的第一时间可能发生在屏障中。 该研究还发现，电子在隧穿时获得能量并与核碰撞，从而产生了显着改善的“ Freman共振”效应，并且这种现象不受激光强度变化的影响。 这项研究解释了第一次，隧道过程的电子动力学不仅将帮助科学家更准确地调节电子行为，而且还将为半导体的技术发展提供重要的理论支持。天气等 【主编辑圈】 在研究的主要层面上，这一成功挑战了传统理论，并为人们提供了一个新的规模来探索微观世界，这可以激发对主要颗粒行为的更多研究。从转型的应用的角度来看，这项研究有望充分促进半导体技术的进步。目前，半导体设备的设计取决于对电子行为的准确控制，以及新发现的“纪念障碍”现象和相关的能量交换机制可以打开新的方法来优化现有设备的性能并提高效率。尤其是在高性能晶体管和传感器的开发中，这项研究提供了新的思想和技术。 （编辑：Luo Zhizhi，Chen Jian） 遵循官方帐户：人 - 金融融资 分享让许多人看到